2026深圳國(guó)際第三代半導(dǎo)體技術(shù)及封測(cè)展覽會(huì)

Shenzhen Third Generation Semiconductor Technology and Testing Exhibition

基本信息

時(shí)間：2026年4月9-11日

地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心

展會(huì)簡(jiǎn)介 

    2026深圳第三代半導(dǎo)體技術(shù)及封測(cè)展覽會(huì)將于年4月9-11日在深圳會(huì)展中心舉行，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體器件、封裝測(cè)試、工藝流程、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。隨著第三代半導(dǎo)體器件的日益普及和廣泛應(yīng)用，為行業(yè)帶來了革新。基于其高速、小體積、低損耗、高功率、高散熱、高集成等方向發(fā)展，越來越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)，先進(jìn)封裝材料、可靠性技術(shù)都在不斷的發(fā)展提升，車硅級(jí)器件不斷上車，目前初步形成從材料、器件、封裝、測(cè)試，再到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈，但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平，亟需突破材料、晶圓、 封測(cè)、工藝、應(yīng)用等環(huán)節(jié)的核心關(guān)鍵技術(shù)和可靠性、一致性等工程化應(yīng)用問題，內(nèi)容涵蓋第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)z新進(jìn)展，針對(duì)SiC/GaN功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性，SiC/GaN功率器件工藝、器件新型封裝結(jié)構(gòu)材料、燒結(jié)銀互連技術(shù)、封裝材料可靠性測(cè)試、封裝熱管理、熱和機(jī)械可靠性仿真設(shè)備，了解大功率電力電子器件與封裝的各種挑戰(zhàn)，邀請(qǐng)產(chǎn)學(xué)研用資多領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)力量、業(yè)界知名專家、企業(yè)代表分享專題報(bào)告，探討z新進(jìn)展，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)發(fā)展。

日程安排

報(bào)道布展: 2026年4月7-8日

展覽展示: 2026年4月9-11日

開幕時(shí)間: 2026年4月9日

撤展時(shí)間: 2026年4月11日

參展范圍

·第三代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)

·SiC功率器件先進(jìn)封裝材料

·SiC功率器件工藝及技術(shù)

·半導(dǎo)體材料、工藝、創(chuàng)新及應(yīng)用

·新型封裝結(jié)構(gòu)材料、燒結(jié)銀互連技術(shù)

·封裝材料可靠性測(cè)試、封裝熱管理、可靠性仿真設(shè)備

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